N-Channel MOSFET, 16 A, 500 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXFH16N50P3
- RS 재고 번호:
- 802-4354
- 제조 부품 번호:
- IXFH16N50P3
- 제조업체:
- IXYS
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|---|---|---|
| 2 - 8 | ₩8,221.20 | ₩16,444.35 |
| 10 - 28 | ₩6,801.60 | ₩13,605.15 |
| 30 - 58 | ₩6,669.00 | ₩13,338.00 |
| 60 - 118 | ₩6,538.35 | ₩13,076.70 |
| 120 + | ₩5,323.50 | ₩10,648.95 |
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- RS 재고 번호:
- 802-4354
- 제조 부품 번호:
- IXFH16N50P3
- 제조업체:
- IXYS
사양
기술적 참조
제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | IXYS | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V | |
| Series | HiperFET, Polar3 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V | |
| Maximum Power Dissipation | 330 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Length | 16.26mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Width | 5.3mm | |
| Height | 21.46mm | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 IXYS | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 16 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 500 V | ||
Series HiperFET, Polar3 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance 360 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 5V | ||
Maximum Power Dissipation 330 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V | ||
Length 16.26mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Transistor Material Si | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 29 nC @ 10 V | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Width 5.3mm | ||
Height 21.46mm | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
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